| 型号 |
技术资料 |
规格 |
| EXB841 |
 30kb |
可驱动400A/600V或300A/1200V以下IGBT一个单元 |
VLA517-01R |
333kb |
EXB841替代产品，管脚性能完全一致，符合RoHs标准 |
|
 注：FUJI IC驱动电路EXB841过电流检测专用快速二极管 |
|
| 型号 |
VRRM
Volts
| IO
Amps.
| IFSM
Amps.
| Trr
μ sec.
| 封装
| 技术资料 |
| ERA34-10 |
1,000 |
0.1 |
2 |
0.15 |
 |
45kb |
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| M57959L |
25kb |
可驱动200A/600V或100A/1200V以下IGBT一个单元 |
| M57962L |
25kb |
可驱动400A/600V或200A/1200V以下IGBT一个单元 |
| MPD1205 / TF1205 |
245kb |
可驱动200A/600V或100A/1200V以下IGBT一个单元 |
| TLP250 |
264kb |
可驱动MOSFET或50A以下IGBT一个单元 |
| MC34151 |
168kb |
可驱动两个MOSFET，输出与输入反相 |
| MC34152 |
145kb |
可驱动两个MOSFET，输出与输入同相 |
| IR2110 |
169kb |
可驱动两个MOSFET或IGBT半桥 |
| IR2136 |
382kb |
独立3半桥驱动器 |
富士、三菱等
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