IGBT单管富士电机 IGBT单管 绝缘删晶体管
本站首页 公司简介 电子元器件 报价单下载 报价单
     华南理工大学科技开发公司  | 当前位置:电子元器件 >>富士电机功率半导体 >>IGBT单管
FUJI 富士电机功率半导体
在线目录
技术支持
富士电机功率器件检索
模块结构型IGBT
智能IGBT模块-IPM
集成整流桥IGBT-PIM
UPS专用四单元IGBT
单管封装型IGBT
IGBT单管
SanRex 三社整流模块
IGBT 驱动电路
电容器Capacitors
其它配套器件
退出

免费索取技术资料光盘
 

富士电机网站

点击放大
代理协议书


ISO9000认证
ISO14000认证

UL认证
UL认证

 

日本富士电机功率半导体中国总代理

富士电机IGBT单管品质优异,价格低廉,已广泛应用于逆变焊机、UPS、微波炉、电磁炉,逆变电源等领域。具有优良的性价比。
富士电机UPS专用600V IGBT单管
型号 VCES
Volts
IC
TC=25oC/100oC
@cont.
Amps.
PC
@
Watts
VCEsat
IC
Tj=25oC
Max.(V)
封装 技术资料
1MBK30D-060S 600 50/30 150 2.9 TO247  
1MBK50D-060S 600 75/50 230 2.9 TO247  
1MBH50D-060S 600 65/50 200 2.9 TO-3PL  
1MBH75D-060S 600 83/75 310 2.9 TO-3PL  
富士电机IGBT单管
型号 VCES
Volts
IC
TC=25oC
cont.
Amps.
PC
@
Watts
VCEsat
IC
Tj=25oC
Max.(V)
封装 技术资料
1MBH60-100 1,000 60 260 3.2 TO-3PL 技术资料下载 81kb
1MBH60D-100* 1,000 60 260 3.2 TO-3PL  
富士电机增强型IGBT单管
型号 VCES
Volts
IC
TC=25oC/100oC
@cont.
Amps.
PC
@
Watts
VCEsat
IC
Tj=25oC
Max.(V)
封装 技术资料
1MBH50-060 600 82/50 310 3.0 TO-3PL 技术资料下载 227kb
1MBH50D-060* 600 82/50 310 3.0 TO-3PL
1MBH15-120 1,200 26/15 245 3.5 TO-3PL 技术资料下载 254kb
1MBH15D-120* 1,200 26/15 245 3.5 TO-3PL
1MBH25-120 1,200 38/25 310 3.5 TO-3PL 技术资料下载 247kb
1MBH25D-120* 1,200 38/25 310 3.5 TO-3PL
*注:型号中“D”表示带反向二极管。
     增强型中的反向二极管的额定电流与IGBT标称一致,安全区为矩形。
   
订购您的订单!
名  称: 华南理工大学科技开发公司
地  址: 广州 五山 华南理工大学校内 南秀村9栋首层 510640
电  话: +86(020)85511281;87111007;85510195;87588466;87595677(直线)
传  真: +86(020)85511287(直线);或分机转808
开户行: 工商银行广州五山支行 账  号:3602002609000113774
联系人: 李耀光-803;徐之文-809;薛英杰-802;赵永智-805;公国庆-801分机
   
    华南理工大学科技开发公司版权所有©Jan. 1998 电子邮件
本页最后更新日期:2008年2月28日