IGBT 西门康IGBT 模块技术支持 应用指南
本站首页 公司简介 科技开发 电子元器件 报价单下载 报价单
     华南理工大学科技开发公司  | 当前位置：电子元器件 >>德国西门康IGBT及驱动电路 >>技术支持
FUJI 富士电机功率半导体
Eupec 优派克功率模块
西门康功率半导体器件
技术支持
高速型IGBT模块
低饱和压降型IGBT模块
可控硅模块
SanRex 三社功率模块
IGBT 驱动电路
电容器Capacitors
其它配套器件
退出

免费索取技术资料光盘

留言板
您的意见非常重要！

质量认证！

 
 
德国西门康IGBT及驱动电路应用指南
SEMIKRON NPT-IGBT的共同特性
   N沟道MOS 输入 (电压控制)
   强化高密度 IGBT芯片
   正温度系数，低饱和电压
   拖尾电流低，且温度敏感度低
   无锁定效应, NPT芯片。使用同质硅结构,矩形反偏工作区,关断最大电流时R仍可以承受最大电压
   高短路能力;自我限定短路电流为 5-7 x ICNat VGE=15V
   绝缘铜底板
   快速软恢复反向CAL 二极管
   较大的间距和爬行距离
   UL 认证; 档案号码 E63 532
   适于并联
   VCEsat具有正温度系数
目 录
0 功率半导体的工作原理
0.1 基本开关过程 1
0.2 功率半导体的运行原理 4
0.3 电力电子开关 6
1 基本原理
1.1 IGBT和MOSFET功率模块的应用范围 13
1.2 功率MOSFET和IGBT 14
1.2.1 结构和基本功能 14
1.2.2 静态特性 22
1.2.2.1 功率MOSFET 23
1.2.2.2 IGBT 27
1.2.3 MOSFET和IGBT在硬开关时的开关特性 29
1.2.4 MOSFET和IGBT技术的发展新动向 35
1.3 续流和缓冲二极管 39
1.3.1 对续流和缓冲二极管的要求 39
1.3.1.1 反向阻断电压和正向通态压降 39
1.3.1.2 开通特性 40
1.3.1.3 关断特性 41
1.3.1.4 对续流二极管在整流和逆变运行中的要求 47
1.3.2 快速功率二极管的构造 50
1.3.3 快速功率二极管的特性 51
1.3.3.1 导通和截止特性 51
1.3.3.2 开通特性 52
1.3.3.3 关断特性 53
1.3.3.4 动态坚固性 54
1.3.4 具有优化恢复特性的现代二极管 55
1.3.4.1 发射极方案 55
1.3.4.2 轴向寿命控制方案 57
1.3.4.3 混合二极管方案 59
1.3.5 快速功率二极管的串联和并联 61
1.3.5.1 串联 61
1.3.5.2 并联 63
1.4 功率模块: 多芯片结构的特点 64
1.4.1 功率模块的构造 64
1.4.2 功率模块的性能 67
1.4.2.1 复杂度 67
1.4.2.2 散热能力 69
1.4.2.3 绝缘电压与漏电稳定性 [275] 76
1.4.2.4 负载循环能力 77
1.4.2.5 模块内部的低电感设计 80
1.4.2.6 内部结构与电磁干扰 81
1.4.2.7 模块在失效时可定义的安全行为 82
1.4.2.8 无污染可回收 82
1.4.3 安装和连接技术: 外壳形式 83
1.4.4 SEMIKRON功率模块的命名方法 85
1.5 新封装技术举例 87
1.5.1 SKiiPPACK 88
1.5.2 MiniSKiiP 90
1.5.3 SEMITOP 93
1.6 传感器、保护装置、驱动器和其它智能部分的集成 94
2 MOSFET、IGBT、MiniSKiiP和SKiiPPACK模块的参数表
2.1 概论 97
2.1.1 符号、定义、标准 97
2.1.2 最大定额、特性参数 99
2.2 功率MOSFET模块[264]、[265] 99
2.2.1 最大定额 99
2.2.2 特性参数 101
2.2.3 特性曲线图 106
2.3 IGBT模块[264]、[265] 110
2.3.1 最大定额 110
2.3.2 特性参数 111
2.3.3 特性曲线图 119
2.4 MiniSKiiP的特殊参数 126
2.5 SKiiPPACK 特殊参数 127
2.6 功率模块的静态和动态特性对温度的依赖性 127
2.7 可靠性 130
3 应用指南
3.1 MOSFET、IGBT和SKiiPPACK模块的设计与选型 133
3.1.1 正向截止电压 133
3.1.2 通态电流 134
3.1.3 开关频率 135
3.2 传热性能 137
3.2.1 功耗的平衡 137
3.2.1.1 单项功耗和总功耗 137
3.2.1.2 降压斩波器的的功耗 139
3.2.1.3 具有正弦电流波形的脉冲电压逆变器或整流器的功耗 140
3.2.2 结温的计算 146
3.2.2.1 概述 146
3.2.2.2 间歇工作时的结温 148
3.2.2.3 脉冲调制时的结温 150
3.2.2.4 基波频率下的结温 152
3.2.3 评估温度特性对于模块寿命的影响 154
3.3 功率模块的冷却 155
3.3.1 冷却装置、冷却介质和冷却方法 155
3.3.2 冷却装置的传热模型 156
3.3.3 自然风冷(自然对流) 157
3.3.4 强制风冷 157
3.3.5 水冷 161
3.3.6 用于SKiiPPACK的标准散热器的参数 162
3.3.6.1 强制风冷 162
3.3.6.2 水冷 164
3.4 功率回路的设计 165
3.4.1 寄生电感和电容 165
3.4.2 电磁干扰与对电网的干扰 168
3.4.2.1 变流器的过程 168
3.4.2.2 干扰电流的产生 169
3.4.2.3 传播途径 170
3.4.2.4 抗扰措施 173
3.4.3 预装好的功率单元 174
3.5 驱动器 178
3.5.1 栅极电压和栅极电流特性 178
3.5.2 驱动参数对开关特性的影响 181
3.5.3 驱动电路结构与对驱动器的基本要求 184
3.5.4 驱动器内置的保护和监视功能 187
3.5.5 时间常数和内部互锁功能 188
3.5.6 控制信号和驱动能量的传输 189
3.5.6.1 控制数据及其反馈 191
3.5.6.2 驱动能量 191
3.5.7 功率MOSFET和IGBT的驱动电路 192
3.5.8 SEMIDRIVER（赛米控驱动器） 192
3.5.8.1 OEM驱动器[225]、[264]、[272] 193
3.5.8.2 SKiiPPACK驱动器 [112]、[264] 195
3.6 故障的行为和保护 199
3.6.1 故障的种类 199
3.6.2 IGBT和MOSFET在过载及短路时的特性 202
3.6.3 故障的检测和保护 208
3.6.3.1 故障电流的检测和降低 208
3.6.3.2 过压限制 211
3.6.3.3 过温检测 217
3.7 MOSFET、IGBT 以及 SKiiPPACK 模块的串并联 218
3.7.1 并联连接 218
3.7.1.1 均流问题 218
3.7.1.2 模块的选择、驱动电路、线路布置 221
3.7.1.3 SKiiPPACK 模块的并联 223
3.7.2 串联连接 225
3.7.2.1 电压均衡的问题 225
3.7.2.2 模块选择、驱动电路、缓冲网络、结构设计 226
3.8 ZVS或ZCS模式的软开关与开关缓冲网络 231
3.8.1 要求和应用场合 231
3.8.2 对半导体开关及其驱动器的要求 232
3.8.3 软开关 234
3.8.3.1 典型的电流电压特性/功率导体的应力 234
3.8.3.2 半导体开关及其驱动器的要求 237
3.8.3.3 开关特性 239
3.8.3.4 结论 244
3.9 使用MOSFET、IGBT、MiniSKiiP和SKiiPPACK模块时的注意事项 245
3.9.1 对ESD的敏感性及防护措施 245
3.9.2 安装指南 245
3.9.3 SKiiPPACK出厂时的热性能试验[265]、[93]、[233] 246
3.10 辅助设计软件 246
3.10.1 电路的数学模型 246
3.10.2 赛米控软件服务 250
4 参考文献
4 参考书目 253
  注：上述资料由SEMIKRON提供  
     
   
订购您的订单！
名  称： 华南理工大学科技开发公司
地  址： 广州 五山 华南理工大学校内 南秀村9栋首层 510640
电  话： +86（020）85511281；87111007；85510195；87588466；87595677（直线）
传  真： +86（020）85511287（直线）；或分机转808
开户行： 工商银行广州五山支行 账  号：3602002609000113774
联系人： 李耀光-803；徐之文-809；薛英杰-802；赵永智-805；公国庆-801分机
   
    华南理工大学科技开发公司版权所有©。Jan. 1998 电子邮件
本页最后更新日期：2006年11月1日